 |
Eνα σχέδιο της αρχιτεκτονική κάθετης τοποθέτησης τρανζίστορ που υπόσχεται σούπερ ενεργειακή
αποδοτικότητα σε ηλεκτρονικές συσκευές και συστήματα.
|
Η ΙΒΜ και η Samsung ανακοίνωσαν την ανάπτυξη μιας νέας μεθόδου κατασκευής επεξεργαστών οι δυνατότητες των οποίων θα είναι τέτοιες ώστε περιορίζουν την κατανάλωση ενέργειας των συστημάτων ή συσκευών που θα τοποθετούνται κατά 85%. Αυτό με απλά λόγια σημαίνει ότι αν τέτοιου είδους τσιπάκια τοποθετηθούν σε κινητά τηλέφωνα αυτά θα μπορούν (θεωρητικά) να λειτουργούν για χρονικό διάστημα μιας εβδομάδας χωρίς να χρειάζονται φόρτιση.
Στην αρχιτεκτονική των επεξεργαστών είτε πρόκειται για CPU είτε SoC τα τρανζίστορ είναι τοποθετημένα οριζοντίως στην επιφάνεια του πυριτίου με το ηλεκτρικό ρεύμα να «ρέει» από πλευρά-σε-πλευρά. Οι δύο κολοσσοί της βιομηχανίας των υπολογιστών και ηλεκτρονικών προϊόντων ανέπτυξαν μια νέα αρχιτεκτονική που ονομάστηκε VTFET (vertical field effect transistors). Όπως λέει και το όνομα της η μέθοδος αυτή τοποθετεί τα τρανζίστορ σε κάθετη διάταξη με το ηλεκτρικό ρεύμα να κινείται κατακόρυφα.Σύμφωνα με τις δύο εταιρείες ο σχεδιασμός αυτός έχει ως αποτέλεσμα την παραγωγή ρεύματος μεγαλύτερης έντασης κάτι που συνεπάγεται μικρότερες ενεργειακές απώλειες. Όπως είναι ευνόητο οι εφαρμογές των νέων τσιπ VTFET είναι πολλές και ξεκινούν από την μεγάλη αυτονομία σε ηλεκτρονικές συσκευές ως και δραστηριότητες που απαιτούν τεράστιες ποσότητες ενέργειας , γεγονός που εκτός των άλλων έχει και ευεργετικές συνέπειες στο περιβάλλον.
|
